TF1010 Single-Walled Carbon Nanotube Pulver

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, og rørveggens amorfe karbondefekter er ekstremt lave. Den kjernedifferensierte indikatoren: den effektive renheten til enkeltveggede karbonrør er større enn eller lik 98,5 %, betydelig høyere enn TF1000s 80 % renhet. Metallaske er gradientkontrollert til innenfor hundre-ppm-nivået, gjenværende urenheter i katalysatoren reduseres betraktelig, og unngår fundamentalt lekkasje av halvlederenheter, batterisidereaksjoner og problemer med registrering av signaldrift.

Den sømløse rørformede strukturen av enkeltlags grafen kombinerer ballistisk elektronledning, ultrahøy elastisitet og ultra-stort spesifikt overflateareal (500–1000 m²/g). Mengden perkoleringstilsetning kan være så lav som 0,03 % for å danne et ledende nettverk med full domene, egnet for 7 nm og under avanserte prosess-tynnfilmtransistorer, fleksible logiske kretser, silisium-karbonanoder med høy renhet, lettvektsskjerming for militær og romfart, ultrahøyfølsom sporbiosensibilitetsscenario-strenging og annen høyfølsomhet.

Fabrikken er utstyrt med et komplett sett med dedikert testutstyr med høy renhet, inkludert høyoppløselig TEM, Raman-spektroskopi, TGA-termogravimetri og ICP-OES. Hver batch er utstedt med et komplett sett med spesielle testrapporter om enkeltvegginnhold, metallurenheter, rørdiameter og lengde. Kun prøver med høy renhet på gramnivå og pilotbatcher på kilogramnivå leveres til forskningsinstitutter, halvlederbedrifter og ledende solid-state batteriprodusenter. Modifiserte pulvere med høy renhet med amino- og karboksylgrupper kan tilpasses til dispersjon av vann/organisk løsemiddel. Et komplett sett med RoHS-, REACH-, ICP-urenhetsspesialrapporter med høy renhet og sikkerhetsdatablad for sikkerhetsdatablader er komplette, og oppfyller de strenge standardene for materialopptaksrevisjon for militær- og halvlederimport og -eksport.

Emballasje: Vakuumposer av aluminiumsfolie, PE-komposittposer, tonneposer, tilpassbare

I 2022 investerte selskapet 50 millioner RMB for å etablere "Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd." i Heze, Shandong-provinsen, med et byggeareal på 4000 kvadratmeter. Det er nå en nasjonal høyteknologisk bedrift med over ti uavhengige patenter.

Et andrefase produksjons- og FoU-senter er planlagt bygget i 2027. Selskapet har bestått ISO9001 internasjonal kvalitetssystemsertifisering og har dannet et avansert nanomaterialproduksjon og teknisk servicesenter som dekker hele prosessen med drift, FoU, pilotproduksjon og produksjon. For tiden har den komplette produksjonslinjer for karbon nanorørpulver, karbon nanorørslurry, karbon nanorør masterbatch, karbon nanorørfiber og karbon nanorørfilm.

Vi har profesjonell testing og sertifisering. For virkelig nanoskala karbon nanorør, gir Tanfeng Technology karakteriseringsdata for ulike modeller, for eksempel SEM-bilder, AFM-bilder, HRTEM-bilder, Raman-spektroskopi og røntgenpulverdiffraksjonsmønstre.

Enkelveggsrenhet Større enn eller lik 98,5 %, ekstremt lavt innhold av urenheter og diverse rør, tilpasset kravene til halvlederenhetens på/av-forhold

Sammenlignet med TF1000s enkeltveggsrenhet på bare 80 %, fjerner TF1010 flerveggede karbonrør og amorfe karbonpartikler gjennom flertrinnsrensing, med diverse faseurenheter som utgjør mindre enn 1,5 %. Når det brukes i tynnfilmsfelteffekttransistorer, økes enhetens på/av-forhold med mer enn 10 ganger, uten lekkasje eller signalforvrengning forårsaket av diverse metallrør, tilpasset forskning og utvikling av 7 nm og under avanserte karbonbaserte integrerte kretser.

Tre kvaliteter av ultra-lav metallaske tilgjengelig, som fullstendig løser feilproblemet med migrering av spormetallioner

Gir tre askespesifikasjoner:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 μm ultralange uberørte rør, ekstremt lav fylling uten å blokkere lystransmisjonen

Ti-tusen-nivå ultrahøyt sideforhold, ledende tilsetningsmengde så lav som 0,03 %, fyllstoffdosering redusert med ytterligere 30 % sammenlignet med TF1000 for samme ledende effekt. Rørdiameteren er langt mindre enn bølgelengden for synlig lys, og forbereder transparente ledende filmer uten uklarhet og høy transmittans, og tilpasser seg masseproduksjon av sammenleggbare skjermer og solcelletransparente elektroder.

Ultra-high crystallinity G/D >50, ekstremt få rørveggstrukturelle defekter, elektrokjemisk syklusstabilitet maksimert

Grafenrørvegger med lav defekt reduserer elektrolyttgrensesnittsidereaksjoner. Når de brukes i silisium-karbon-anoder og solid-state-batterier, kan de i stor grad undertrykke kontinuerlig SEI-filmfortykning, med cellesyklus-levetid forbedret med mer enn 35 % sammenlignet med TF1000 grunnleggende enkeltveggede, tilpasset lang rekkevidde, avanserte batterier for personbiler.

Kan retningsseparere halvledende enkeltveggede karbonrør, kjernesubstrat for fleksible brikker med lav effekt

Uberørte enkeltveggede råmaterialer med høy renhet letter påfølgende tetthetsgradientsentrifugeringsseparasjon, og produserer en høy andel halvledende enkeltveggede karbon-nanorør med høy bærermobilitet og ekstremt lavt enhetsstrømforbruk, noe som gjør dem til kjerneråmaterialer for neste generasjons fleksible laveffektslogiske kretser og mikrosensorbrikker.

Ultra-stort spesifikt overflateareal 500–1000 m²/g, ultrahøyfølsom fangst av spormolekyler

Massive elektrokjemiske aktive steder, med adsorpsjons- og gjenkjennelsesevne for gasser, biologiske proteiner og spor av tungmetallmolekyler som langt overstiger TF1000, tilpasset medisinske diagnostiske biosensorer og presisjonsdeteksjonsprober for sporforurensning i miljøet.

Militært og romfart fullt kompatibelt system med høy renhet, lett ledende og termisk ledende integrert strukturell forsterkning

Lav-urenhet, ikke-utfellende formuleringer oppfyller akseptstandardene for luftfart og militære elektroniske komponenter. Ekstremt lav fylling kan oppnå de tredoble effektene av permanent ledningsevne, elektromagnetisk skjerming og strukturell forsterkning, noe som reduserer egenvekten til satellitt- og flykomponenter.

1. Avansert prosess karbonbaserte halvledere, tynnfilmsfelteffekttransistorer

7 nm og under prosessintegrerte kretser, fleksible logiske brikker, mikro-laveffektssensorkretser; ultrahøy enkeltveggsrenhet sikrer høyt transistor av/på-forhold og lav lekkasje, og erstatter tradisjonelle silisiumbaserte materialer for forskning og utvikling av mikro-nanoelektronikk etter Moore-epoken.

2. Militær/Aerospace Ultra-High Purity Lettvekts ledende skjermingskomposittmaterialer

Lettvekts elektromagnetiske skjermingshus for satellitter, varmespredning av fly og ledende integrerte paneler, elektroder for militære energilagringsenheter; lite metallurenheter oppfyller de langsiktige driftsstandardene for stabil drift i bane for militære komponenter.

3. High-End silisium-karbonanoder, sulfid-helsolid-state strømbatterier

Ledende tilsetningsstoffer dedikert til silisium-karbonanoder for avansert forbrukerelektronikk og langdistanse batterier for personbiler; ultralave urenheter undertrykker selvutladning av celler, ultralange karbonrør buffer volumutvidelse av silisiumpartikler, noe som forlenger syklusens levetid betydelig.

4. Fleksible transparente ledende filmer med høy overføringsevne, sammenleggbare OLED-skjermpaneler

Erstatter knappe ITO indium tinnoksid, klargjør uklare ledende filmer med høy transmittans, tilpasning til sammenleggbare berøringsskjermer, bærbare medisinske EKG-elektroder og solcelletransparente strømsamlere, med motstandsdempning under 3 % etter tusen bøyninger.

5. Ultra-høypresisjon biologiske og miljømessige sporsensorer

Medisinske proteindeteksjonssensorer, deteksjon av atmosfærisk spor av giftig gass, vannsporing av tungmetallovervåkingssonder; ultra-stort spesifikt overflateareal muliggjør spormolekylgjenkjenning på ppb-nivå, med deteksjonsfølsomhet overlegen TF1000 basic enkeltvegget.

6. University Frontier Ultra-High-Purity Nanomaterial Research Projects

Prøver med høy renhet dedikert til høypresisjons-laboratorie-FoU, slik som halvleder-enveggs kiralitetsseparasjon, avanserte karbonbaserte brikkemekanismer, solid-state batteri langsyklusmekanismer og lette komposittmaterialer for luftfart.

Spørsmål 1: Hva er kjerneutvalgets forskjeller mellom TF1010 ultra-høy renhet envegget og TF1000 grunnleggende enkeltvegget, og hvordan bør halvlederbrikker velge?

A: TF1000 enkeltveggsrenhet er bare større enn eller lik 80%, egnet for silisiumkarbonanoder, vanlige fleksible ledende filmer og konvensjonell laboratoriegrunnleggende FoU; TF1010 enkeltveggsrenhet er større enn eller lik 98,5 %, med metallaske så lavt som innenfor 100 ppm, og ekstremt få diverse rør og amorfe karbonurenheter, spesifikt for integrerte halvlederkretser, militær og romfart, ultra-høypresisjon biosensing, high-end batterier med null, solid-state og andre scenarier; for enhet med høy stabilitet, lav lekkasje og lange sykluser, må TF1010 velges.

Spørsmål 2: Hvilke scenarier tilpasser de tre askespesifikasjonene til TF1010 seg til?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

Spørsmål 3: TF1010 enveggsrenhet på 98,5 %, hvor mye forbedring gir det transistor av/på-forhold?

A: Fordi TF1000 inneholder store mengder flerveggede diverse rør, er transistor på/av-forholdet bare 10³–10⁴; TF1010 har ekstremt få urenheter i diverse fase, og etter separasjon kan på/av-forholdet mellom halvledende karbonrørenheter nå over 10⁷, og oppfylle ytelseskravene til avanserte prosessbrikker.

Q4: Når TF1010 brukes i solid-state batterier, hvor mye kan celleselvutladning reduseres sammenlignet med TF1000?

A: TF1010 metallkatalytiske urenheter reduseres kraftig, romtemperaturlagring i faststoffceller 30-dagers kapasitetsdemping reduseres med 40 %, og sykluslevetiden er forbedret med 35 %, tilpasset pilotmasseproduksjon av langdistanse solid-state batterier for bilprodusenter.

Spørsmål 5: Er TF1010-pulver vanskelig å spre, og kan det tilpasses til halvlederlitografi som støtter slurries?

A: Amino modifisert TF1010-pulver med høy renhet kan tilpasses, tilpasset litografisk dedikert dispersjon av organisk løsemiddel med lav urenhet, uten spormetallutfelling som forurenser wafere; Vårt firma kan tilby dispersjonsprosessløsninger med lav skjærkraft med høy renhet.

Spørsmål 6: For militære eksport- og halvlederprosjekter, kan TF1010 utstede spesielle høyrente metallurenhetstestrapporter?

A: Hver batch er utstyrt med et uavhengig ICP-OES høyrent asketestark, som nøyaktig merker restinnholdet av forskjellige katalysatormetaller. Et komplett sett med RoHS-, REACH- og MSDS-dokumenter er komplett, og møter tredjepartsrevisjoner for militær- og halvlederimport- og -eksportmaterialer.

Q7: Hvilken transmittans kan TF1010 oppnå ved fremstilling av transparente ledende filmer? Er det problemer med dis?

A: Filmtransmittans Større enn eller lik 90 %, uklarhet<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Populære tags: tf1010 enkeltvegget karbon nanorørpulver, Kina tf1010 enkeltvegget karbon nanorørpulver produsenter, leverandører, fabrikk